无尘车间生产对于湿度控制是非常重要的条件之一,无尘车间、洁净室运作过程中一个常用的环境控制条件是相对湿度。半导体无尘车间、洁净室中的典型的相对湿度的目标值大约控制在30至50%的范围内,允许误差在±1%的狭窄的范围内,例如光刻区或者在远紫外线处理(DUV)区甚至更小而在其他地方则可以放松到±5%的范围内。
工业加湿系统带来的相对湿度能够使无尘车间的不好问题下降,比如:
1、细菌生长;
2、工作人员感到室温舒适的范围;
3、出现静电荷;
4、金属腐蚀;
5、水汽冷凝;
6、光刻的退化;
7、吸水性。
细菌和其他生物污染(霉菌,病毒,真菌,螨虫)在相对湿度超过60%的环境中可以活跃的繁殖。一些菌群在相对湿度超过30%时就可以增长。在相对湿度处于40%至60%的范围之间时,可以使细菌的影响以及呼吸道感染降至最低。高湿度实际上减小了无尘车间、洁净室表面的静电荷积累,较低的湿度比较适合电荷的积累并成为潜在的具有破坏性的静电释放源。当相对湿度超过50%时,静电荷开始迅速消散,但是当相对湿度小于30%时,它们可以在绝缘体或者未接地的表面上持续存在很长一段时间。
相对湿度在35%到40%之间可以作为一个令人满意的折中,半导体无尘车间、洁净室一般都使用额外的控制装置以限制静电荷的积累。
到目前为止,在半导体无尘车间、洁净室中最迫切需要适当控制的是光刻胶的敏感性。由于光刻胶对相对湿度极为敏感的特性,它对相对湿度的控制范围的要求是最严格的水准。
实际上,相对湿度和温度对于光刻胶稳定性以及精确的尺寸控制都是很关键的。甚至是在恒温条件下,光刻胶的黏性将随着相对湿度的上升而迅速下降。当然,改变黏性,就会改变由固定组分涂层形成的保护膜的厚度。参考两个城市,一个试验证实,相对湿度的3%的变异将使保护厚度改变59.2A。
此外,在高的相对湿度环境下,由于水分的吸收,使烘烤循环后光刻胶膨胀加重。光刻胶附着力同样也可以受到较高的相对湿度的负面影响;较低的相对湿度(约30%)使光刻胶附着更加容易,甚至不需要聚合改性剂,如六甲基二硅氮烷(HMDS)。